Ciri struktur tiub MOS dan IGBT

Dalam litar elektronik, MOS dan IGBT akan sering muncul, dan semuanya boleh digunakan sebagai elemen beralih. MOS dan IGBT juga agak serupa dalam parameter penampilan dan ciri. Mengapa beberapa litar menggunakan MOS? Dan beberapa litar menggunakan IGBT?

Modul IGBT terdiri daripada lapisan tambahan pada longkang MOSFET.

Modul IGBT sebenarnya adalah gabungan MOSFET dan transistor triode. MOSFET mempunyai kelemahan rintangan tinggi, tetapi modul IGBT menyingkirkan kelemahan ini, dan modul IGBT masih mempunyai rintangan rendah pada voltan tinggi.

Di samping itu, modul IGBT kapasiti daya yang serupa dan MOSFET, kelajuan modul IGBT mungkin lebih perlahan daripada MOSFET.

Di atas adalah ciri struktur tiub MOS dan IGBT yang diperkenalkan oleh Inheritance Electronics